有機光電材料(誰(shuí)知道有關(guān)有機半導體的知識)
1.誰(shuí)知道有關(guān)有機半導體的知識
幫你找了幾篇類(lèi)似綜述一樣的文章，要的話(huà)聯(lián)系我吧（點(diǎn)我可見(jiàn)）。
【篇名】 有機半導體研究進(jìn)展 CAJ原文下載 PDF原文下載
【作者】 袁仁寬. 沈今楷. 孔凡.
【刊名】 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2003年01期 編輯部Email
《中文核心期刊要目總覽》來(lái)源期刊 “中國期刊方陣”入選期刊 ASPT來(lái)源刊 CJFD收錄期刊
【機構】 南京大學(xué)物理系. 南京大學(xué)物理系 210093 .
【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 有機發(fā)光二極管. 聚合物半導體. 有機晶體. 孤子.
【聚類(lèi)檢索】 同類(lèi)文獻 引用文獻 被引用文獻
【摘要】 1977年人們發(fā)現通過(guò)摻雜可以使聚乙炔膜的電導率提高 1 2個(gè)量級 ，由絕緣體變成導體 ，從此掀起了有機半導體的研究熱潮。其研究工作包括有機高分子材料、有機小分子材料和有機分子晶體材料的電學(xué)、光學(xué)等性質(zhì)。有機半導體中的載流子除了電子和空穴外 ，還有孤子、極化子等。人們已經(jīng)獲得低溫遷移率高達 1 0 5cm2 /V.s的高質(zhì)量有機半導體晶體 ，在其中觀(guān)察到量子霍爾效應 ，并用其制成有機半導體激光器。如今有機半導體彩色顯示屏已進(jìn)入實(shí)用階段。
【光盤(pán)號】 INFO0306
【篇名】 有機半導體：無(wú)限的可能 CAJ原文下載 PDF原文下載
【刊名】 現代制造 2005年24期 編輯部Email
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【聚類(lèi)檢索】 同類(lèi)文獻 引用文獻 被引用文獻
【摘要】 有機半導體能夠支持一些全新的電子設備，從計算機制衣到可折疊顯示器等，都具有很大的發(fā)展潛力。有機半導體預示著(zhù)新一代顯示器，標簽和油墨的到來(lái)。
【光盤(pán)號】 SCTC0512S2
【篇名】 有機半導體復合光導材料與器件的研究與發(fā)展 CAJ原文下載 PDF原文下載
【作者】 張翔宇. 汪茫. 陳紅征. 闕端麟.
【刊名】 自然科學(xué)進(jìn)展 1999年07期 編輯部Email
《中文核心期刊要目總覽》來(lái)源期刊 “中國期刊方陣”入選期刊 ASPT來(lái)源刊 CJFD收錄期刊
【機構】 浙江大學(xué)高分子科學(xué)與材料研究所硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室. 浙江大學(xué)高分子科學(xué)與材料研究所硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室 杭州 310027 .
【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 有機光導體. 復合材料.
【聚類(lèi)檢索】 同類(lèi)文獻 引用文獻 被引用文獻
【摘要】 通過(guò)不同結構、不同組成、不同功能的光導材料的復合，可以得到功能的協(xié)同增強、優(yōu)化以及互補效應。采用分子內復合和分子間復合的方法，可以制備在可見(jiàn)光和近紅外區域均有很高光敏性的新型有機光導材料。同時(shí)，研制使材料與器件交叉滲透，結合為一體的單層有機光導體，可大大地降低生產(chǎn)成本。
【光盤(pán)號】 SCTA99S5
【篇名】 值得關(guān)注的有機光伏電池材料 CAJ原文下載 PDF原文下載
【作者】 孫景志. 汪茫. 周雪琴. 王植源.
【刊名】 材料導報 2002年02期 編輯部Email
ASPT來(lái)源刊 CJFD收錄期刊
【機構】 浙江大學(xué)材料與化工學(xué)院高分子系. 加拿大Carleton大學(xué)化學(xué)系 浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室. 杭州 310027 .
【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 光電池. 復合材料. 聚集態(tài)結構. 激發(fā)態(tài).
【聚類(lèi)檢索】 同類(lèi)文獻 引用文獻 被引用文獻
【摘要】 評述了近十年來(lái)有機光電池材料研究的最新進(jìn)展，強調了材料復合對設計有機光伏電池的重要性，指出了有機半導體材料的分子聚集態(tài)結構與材料凝聚態(tài)結構的調控在改善器件性能上發(fā)揮的決定性作用，揭示了激發(fā)態(tài)過(guò)程與激發(fā)態(tài)性質(zhì)的研究在提高光電轉換效率上的意義，分析了有機光電池材料的發(fā)展前景。
【光盤(pán)號】 SCTB02S1
2.什么是有機發(fā)光材料
高分子有機發(fā)光材料
第二種有機發(fā)光材料為高分子聚合物，也稱(chēng)為高分子發(fā)光二極管（PLED），由英國劍橋大學(xué)的杰里米伯勒德及其同事首先發(fā)現。聚合物大多由小的有機分子以鏈狀方式結合在一起，以旋涂法形成高分子有機發(fā)光二極管。
旋轉涂布工藝采用的原理是：在旋轉的圓盤(pán)上（通常為每分鐘1200轉至1500轉）滴上數滴液體，液體會(huì )因為旋轉形成的離心力而呈薄膜狀分布。在這種狀態(tài)下，液體凝固后便可在膜體上形成晶體管等組件。膜體的厚度可通過(guò)調節液體粘度及旋轉時(shí)間來(lái)調整。旋涂之后，要采取烘干的步驟來(lái)除去溶劑。就工藝而言，旋涂法比熱蒸鍍法要經(jīng)濟。與柯達型低分子OLED相比，PLED有功效優(yōu)勢，這是由于在低壓工作環(huán)境下，聚合物層具有良好的導電性能。
最初PLED是由一種稱(chēng)之為次苯基二價(jià)乙烯基（PPV）單層活性聚合物，夾于氧化銦錫和鈣之間形成。銦錫氧化物為載流子注入層，而鈣為電子傳遞層。現在的PLED又增添了一層聚合物載流子注入層。PPV聚合物產(chǎn)生黃光，具有效率高壽命長(cháng)的特點(diǎn)。這種PLED應用于計算機顯示器，其壽命可長(cháng)達10000小時(shí)，相當于正常使用10年。其他的聚合物及復合聚合物也在開(kāi)發(fā)之中，如陶氏化學(xué)公司研究開(kāi)發(fā)了一種聚氟高分子。全彩色PLED也在開(kāi)發(fā)中，主要是通過(guò)改變復合聚合物片段的長(cháng)度來(lái)實(shí)現顯示功能，令人遺憾的是，與PPV相比，各種全彩色有機聚合物的壽命不長(cháng)，而藍光聚合物始終不盡人意。
難關(guān)重重待飛越
盡管熒光OLED和PLED能耗較低，但仍有很大的改進(jìn)空間。對第一代產(chǎn)品的最大限制因素是電子自旋，這種固有的量子特性決定著(zhù)粒子對電磁場(chǎng)的反應。電子與空穴結合時(shí)，會(huì )產(chǎn)生激子。根據量子力學(xué)的規律，電子與空穴結合時(shí)，只有四分之一的激子會(huì )以光的形式釋放能量，其余的激子則以熱的形式釋放能量。
由美國普林斯頓大學(xué)的弗萊斯特及南加州大學(xué)的湯普森所領(lǐng)導的研究小組征服了這個(gè)難題。他們開(kāi)發(fā)的OLED含有諸如鉑、銥等重金屬。一般而言，重金屬的外層電子，由于遠離原子核，旋轉角動(dòng)量大。這種電子與其他電子相互作用，理論認為，百分之百的激子都會(huì )以光的形式釋放能量。為了與熒光OLED相區別，把用這種方式制備的OLED稱(chēng)為磷光OLED。低分子OLED的效率給人留下了十分深刻的印象，除了藍光OLED外，其壽命未產(chǎn)生任何影響。不過(guò)，藍色磷光OLED尚未發(fā)現，目前有許多實(shí)驗室正在加緊研究，努力改變這種現狀。
第二個(gè)難關(guān)是低分子OLED能否以經(jīng)濟的旋涂法來(lái)產(chǎn)生各色有機發(fā)光材料。磷光OLED在這方面已經(jīng)有了重大進(jìn)展。英國牛津大學(xué)的安德魯和奧普西斯合成了一種樹(shù)叢狀分子（dendrimers），有助于實(shí)現這種設想。“den鄄drimers”這個(gè)詞來(lái)自希臘的“dendros”，意思是樹(shù)和枝，樹(shù)上的分枝長(cháng)到一定長(cháng)度后又分成兩個(gè)分枝，如此重復進(jìn)行，直到長(cháng)成像球形一樣的樹(shù)叢。在樹(shù)叢狀分子中，分枝是內部連結的高分子聚合鍵，每一個(gè)鍵又會(huì )產(chǎn)生新鍵，全部會(huì )向一個(gè)焦點(diǎn)聚合或向一個(gè)核聚合。
在樹(shù)叢狀分子上可形成大量鍵端球形突起物，就像毛線(xiàn)球上的絨毛。在合成過(guò)程中，可利用這些鍵端去執行特殊的化學(xué)功能，例如，鍵端可帶電，發(fā)揮樹(shù)叢狀分子的高分子電解質(zhì)的功能。另外，在合成過(guò)程中，也能控制樹(shù)叢狀分子外部尺寸和內部的結構。這有可能創(chuàng )造與外部不同性質(zhì)的內腔和信道，并打開(kāi)樹(shù)叢狀分子作為載體或作為受邀分子晶核的大門(mén)。
將樹(shù)叢狀分子應用于OLED，可以將磷光OLED作為核，形成大分子球，以適當的元素為分枝，這樣OLED分子就能夠溶解，就可以利用類(lèi)似PLED的制備方式，通過(guò)旋轉涂布和烘干來(lái)制備。樹(shù)叢狀分子具有非常良好的發(fā)光效率，目前可達每安培50堪德拉和每瓦40流明。
另外，盡管生產(chǎn)工藝不同，有機發(fā)光材料還是要獲得與陰極射線(xiàn)管和液晶顯示屏相同的畫(huà)面質(zhì)量，才能在市場(chǎng)上具有競爭力。為了獲得完美畫(huà)質(zhì)，每英寸點(diǎn)數不應小于100。目前陰極射線(xiàn)管和液晶顯示屏利用光刻技術(shù)都已達到或超過(guò)了上述要求。OLED目前主要以蔭罩技術(shù)進(jìn)行多彩成膜的制備，距高分辨率顯示要求仍有差距，須待突破。噴墨技術(shù)為PLED發(fā)光色層精確定位提供了一個(gè)新的解決方案。它主要是將裝有不同顏色高分子發(fā)光材料，依序精確定位于所設計好的位置，其技術(shù)挑戰的關(guān)鍵在于能否精確定位、噴出的滴狀材料的大小是否配合畫(huà)面的尺寸、能否控制噴出液滴的一致性等。
3.光電子材料
光電子材料optoelectronic material 在光電子技術(shù)領(lǐng)域應用的，以光子、電子為載體，處理、存儲和傳遞信息的材料。
光電子技術(shù)是結合光學(xué)和電子學(xué)技術(shù)而發(fā)展起來(lái)的一門(mén)新技術(shù)，主要應用于信息領(lǐng)域，也用于能源和國防領(lǐng)域。已使用的光電子材料主要分為光學(xué)功能材料、激光材料、發(fā)光材料、光電信息傳輸材料（主要是光導纖維）、光電存儲材料、光電轉換材料、光電顯示材料（如電致發(fā)光材料和液晶顯示材料）和光電集成材料。
（一）新型光電子材料及相關(guān)基礎材料、關(guān)鍵設備和特種光電子器件 1、光電子基礎材料、生長(cháng)源和關(guān)鍵設備 研究目標：突破新型生長(cháng)源關(guān)鍵制備技術(shù)，掌握相關(guān)的檢測技術(shù)；突破半導體光電子器件的基礎材料制備技術(shù)，實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。 研究?jì)热菁爸饕笜耍?1） 高純四氯化硅（4N）的純化技術(shù)和規模化生產(chǎn)技術(shù)（B類(lèi)，要求企業(yè)負責并有配套投入） 2） 高純（6N）三甲基銦規模化生產(chǎn)技術(shù)（B類(lèi)，要求企業(yè)負責并有配套投入） 3） 可協(xié)變（Compliant）襯底關(guān)鍵技術(shù)（A類(lèi)） 4） 襯底材料制備與加工技術(shù)（B類(lèi)） 重點(diǎn)研究開(kāi)發(fā)外延用藍寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標拋光產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（Epi-ready級）；大尺寸（>2"）藍寶石襯底材料制備技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。
藍寶石基GaN器件芯片切割技術(shù)。 5） 用于平板顯示的光電子基礎材料與關(guān)鍵設備技術(shù)（A類(lèi)） 大面積（對角線(xiàn)>14〃）的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長(cháng)的關(guān)鍵技術(shù)； 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關(guān)鍵技術(shù)。
2、人工晶體和全固態(tài)激光器技術(shù) 研究目標：研究探索新型人工晶體材料與應用技術(shù)，突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，研制大功率全固態(tài)激光器，解決產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。 研究?jì)热菁爸饕笜耍?1） 新型深紫外非線(xiàn)性光學(xué)晶體材料和全固態(tài)激光器（A類(lèi)）； 2） 面向光子/聲子應用的人工微結構晶體材料與器件 （A類(lèi)）； 3） 研究開(kāi)發(fā)瓦級紅、藍全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類(lèi)），高損傷閾值光學(xué)鍍膜關(guān)鍵技術(shù)（B類(lèi)），基于全固態(tài)激光器的全色顯示技術(shù)（A類(lèi)）； 4） 研究開(kāi)發(fā)大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類(lèi)）； 5) Yb系列激光晶體技術(shù)（A類(lèi)）。
3、新型半導體材料與光電子器件技術(shù) 研究目標：重點(diǎn)研究自組裝半導體量子點(diǎn)、ZnO晶體和低維量子結構、窄禁帶氮化物等新型半導體材料及光電子器件技術(shù)。 研究?jì)热菁爸饕笜耍?1） 研究ZnO晶體、低維量子結構材料技術(shù)，研制短波長(cháng)光電子器件 （A類(lèi)） 2） 自組裝量子點(diǎn)激光器技術(shù) （A類(lèi)） 3） Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(shù)（A類(lèi)） 4） 光泵浦外腔式面發(fā)射半導體激光器（A類(lèi)） 4、光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制技術(shù)（A類(lèi)） 研究目標：發(fā)展人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件表征評價(jià)技術(shù)，解決產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制關(guān)鍵技術(shù)。
研究?jì)热荩褐攸c(diǎn)研究人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件質(zhì)量監測新方法與新技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品測試條件與數據標準化研究。 5、光電子材料與器件的微觀(guān)結構設計與性能預測研究（A類(lèi)） 研究目標：提出光電子新材料、新器件的構思，為原始創(chuàng )新提供理論概念與設計 研究?jì)热荩横槍怆娮蛹夹g(shù)的發(fā)展需求，結合本主題的研制任務(wù)，采用建立分析模型、進(jìn)行計算機模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀(guān)及宏觀(guān)）范圍內，闡明材料性能與微觀(guān)結構的關(guān)系，以利性能、結構及工藝的優(yōu)化。
解釋材料制備實(shí)驗中的新現象和問(wèn)題，預測新結構、新性能，預報新效應，以利材料研制的創(chuàng )新。低維量子結構材料新型表征評價(jià)技術(shù)和設備。
（二）通信用光電子材料、器件與集成技術(shù) 1、集成光電子芯片和模塊技術(shù) 研究目標：突破并掌握用于光電集成（OEIC）、光子集成（PIC）與微光電機械（MOEMS）方面的材料和芯片的關(guān)鍵工藝技術(shù)，以典型器件的研制帶動(dòng)研究開(kāi)發(fā)工藝平臺的建設和完善，探索集成光電子系統設計和工藝制造協(xié)調發(fā)展的途徑，促進(jìn)芯片、模塊和組件的產(chǎn)業(yè)化。 研究?jì)热菁爸饕笜耍?1） 光電集成芯片技術(shù) （1）速率在2.5Gb/s以上的長(cháng)波長(cháng)單片集成光發(fā)射機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類(lèi)） （2） 高速 Si基單片集成光接收機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類(lèi)） 2） 基于平面集成光波導技術(shù)的OADM芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類(lèi)） 3） 平面光波導器件的自動(dòng)化耦合封裝關(guān)鍵技術(shù)（B類(lèi)） 4） 基于微光電機械（MOEMS）芯片技術(shù)的8′8以上陣列光開(kāi)關(guān)關(guān)鍵技術(shù)（A類(lèi)） 5） 光電子芯片與集成系統（Integrated System）的無(wú)生產(chǎn)線(xiàn)設計技術(shù)研究（A類(lèi)） 2、通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù) 研究目標：針對干線(xiàn)高速通信系統和密集波分復用系統、全光網(wǎng)絡(luò )以及光接入網(wǎng)系統的需要，重點(diǎn)進(jìn)行一批技術(shù)含量高、市場(chǎng)前景廣闊的目標產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，迅速促進(jìn)相應產(chǎn)品系列的形成和規模化生產(chǎn)，顯著(zhù)提高我國通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競爭能力。
研究?jì)热菁爸饕笜耍?（1） 速率在10Gb/s以上的高速光探測器組件（PIN-TIA） 目標產(chǎn)品和規模化生產(chǎn)技術(shù)，直接調制DFB-LD目標產(chǎn)品和規模化生產(chǎn)技術(shù)，光轉發(fā)器（Transponder）目標產(chǎn)品和規模化生產(chǎn)技術(shù)；（均為B類(lèi)，要求企業(yè)負責并有配套投入） （2） 40通道、0.8nm間隔。
