光伏物理(光伏發(fā)電基本常識?)

1.光伏發(fā)電基本常識?

我就是做光伏發(fā)電了，基本常識太多了 我就列舉幾個(gè)：1.光伏指的是光生伏特效應，一定條件下光能產(chǎn)生電壓，從而產(chǎn)生電流，電能2.光伏發(fā)電是發(fā)的是直流電，一般都需要逆變器轉化才能并到國家電網(wǎng)或者自己使用3.太陽(yáng)能電池板主流的分為 晶硅和薄膜兩大類(lèi)，薄膜以漢能為代表，晶硅的有多晶硅和單晶硅之分，目前市場(chǎng)的太陽(yáng)能電池板以晶硅類(lèi)的為主，廠(chǎng)家較多，在此不列舉了4，光伏發(fā)電主要有 ：組件（太陽(yáng)能電池板），逆變器，支架，三大部分組成5，光伏發(fā)電效率受 光照強度和溫度影響很大，溫度過(guò)高過(guò)低都會(huì )影響發(fā)電效率 25度為宜6，前幾年做光伏的企業(yè)都賺翻了，但是今年受政策影響，會(huì )死一批光伏企業(yè)，7，光伏發(fā)電有很多形式，戶(hù)用分布式，工商業(yè)屋頂，集中地面電站，農光互補，漁光互補，等等8.光伏發(fā)電的電價(jià)全國不一樣，太多了，這里就不一一列舉了，有問(wèn)題，歡迎加關(guān)注，私信我。

2.太陽(yáng)光伏基本原理?

太陽(yáng)能電池是一種具有光電轉換特性的半導體器件，它直接將太陽(yáng)輻射能轉換成直流電，是光伏發(fā)電的最基本單元。太陽(yáng)電池特有的電特性是借助在晶體硅中摻入某些元素（例如 磷或硼等）。從而在材料的分子電荷里造成永久的不平衡，形成具有特殊電性能的半導體材料。在陽(yáng)光照射下，具有特殊電性能的半導體內可以產(chǎn)生自由電荷，這些自由電荷定向移動(dòng)并積累，從而在其兩端形成電動(dòng)勢，當用導體將其兩端閉合時(shí)便產(chǎn)生電流。這種現象被稱(chēng)為“光生伏打效應”，簡(jiǎn)稱(chēng)光伏效應。

目前應用最廣的屬單晶硅太陽(yáng)能電池，它由兩層半導體材料組成，其厚度大約0.25MM，形成兩個(gè)區域：一個(gè)正電荷區，一個(gè)負電荷區。負區位于電池的上層，在這一層強迫滲透磷、硼等元素并與硅粘在一起。正區置于電池表層的下面，正負界面區域稱(chēng)為P-N結。制造電池時(shí)P-N結被賦予了恒定的物理特性。當陽(yáng)光投射到電池內保持松散狀態(tài)的電子時(shí)，這些靠近P-N結的電子將朝電池的表層流動(dòng)，用金屬線(xiàn)將太陽(yáng)能電池的正伏級與伏載相連時(shí)，在外電路就形成了電流。每個(gè)太陽(yáng)能電池基本單元P-N結處的電動(dòng)勢大約為0.5V，此電壓值大小與電池片的尺寸無(wú)關(guān)。太陽(yáng)能電池的輸出電流受自身面積和日照強度的影響，面積較大的電池能夠產(chǎn)生較強的電流。

3.有關(guān)光伏發(fā)電的知識有哪些?

光伏是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種利用太陽(yáng)電池半導體材料的光伏效應，將太陽(yáng)光輻射能直接轉換為電能的一種新型發(fā)電系統，有獨立運行和并網(wǎng)運行兩種方式。

太陽(yáng)能光伏效應，簡(jiǎn)稱(chēng)光伏（PV），又稱(chēng)為光生伏特效應（Photovoltaic），是指光照時(shí)不均勻半導體或半導體與金屬組合的部位間產(chǎn)生電位差的現象。 光伏被定義為射線(xiàn)能量的直接轉換。

在實(shí)際應用中通常指太陽(yáng)能向電能的轉換，即太陽(yáng)能光伏。它的實(shí)現方式主要是通過(guò)利用硅等半導體材料所制成的太陽(yáng)能電板，利用光照產(chǎn)生直流電，比如我們日常生活中隨處可見(jiàn)的太陽(yáng)能電池。

光伏技術(shù)具備很多優(yōu)勢：比如沒(méi)有任何機械運轉部件；除了日照外，不需其它任何"燃料"，在太陽(yáng)光直射和斜射情況下都可以工作；而且從站址的選擇來(lái)說(shuō)，也十分方便靈活，城市中的樓頂、空地都可以被應用。 自1958年起，太陽(yáng)能光伏效應以太陽(yáng)能電池的形式在空間衛星的供能領(lǐng)域首次得到應用。

時(shí)至今日，小至自動(dòng)停車(chē)計費器的供能、屋頂太陽(yáng)能板，大至面積廣闊的太陽(yáng)能發(fā)電中心，其在發(fā)電領(lǐng)域的應用已經(jīng)遍及全球。 。

4.關(guān)于光伏發(fā)電管理的小知識

隨著(zhù)全球經(jīng)濟的大發(fā)展，人們都在追求更加舒適生活，而這一切的基礎就是消耗大量的能源。

化石燃料是地球在漫長(cháng)的形成過(guò)程中產(chǎn)生的有限的資源。人類(lèi)已經(jīng)消耗了大量的化石燃料，化石燃料不僅在燃燒的過(guò)程中嚴重污染了環(huán)境，而且在開(kāi)采時(shí)也嚴重的破壞了環(huán)境。

太陽(yáng)能是資源豐富的可再生能源，它分布廣泛，可再生，不污染環(huán)境，是國際公認的理想替代能源。 遠程監控：觀(guān)測當前運行逆變器的信息，包含發(fā)電量、電壓、電流等。

打開(kāi)手機就能看到用電量、發(fā)電量、上網(wǎng)的電量的確切信息。 故障排查：排查故障，可查詢(xún)最近幾次停機重啟原因。

并可在故障位置進(jìn)行拍照并發(fā)給客服，讓售后解決問(wèn)題，保證了耀通光伏發(fā)電實(shí)施正常運轉。 分段時(shí)時(shí)查詢(xún)：耀通手機APP光伏發(fā)電模塊可以隨時(shí)查詢(xún)任意時(shí)間段的用電量、發(fā)電量及上網(wǎng)電量。

集中管理：如果大家庭里有多個(gè)耀通科技光伏發(fā)電系統，一個(gè)手機APP就能搞定集中管理。 。

5.各種光伏電池原理是什么

1、本征半導體光伏電池原理 這種半導體是經(jīng)過(guò)光照刺激后會(huì )直接刺激里面的電子隨水流的流動(dòng)而發(fā)生流動(dòng)，利用內部的惰性氣體防止電子流失，同時(shí)加快內部半導體的電子擺脫程度。

本征半導體就是純正的半導體，容易發(fā)生電子的流失。比雜質(zhì)半導體光伏電池轉化率要高很多。

2、雜質(zhì)半導體光伏電池 這是第二代光伏電池，由于在當時(shí)限于半導體的提純技術(shù)的影響。所以當時(shí)光伏電池的半導體并不純凈。

原理和本質(zhì)光伏電池的原理相同，只是轉化率比較低而已。現在還有很多家庭在用這種光伏電池。

3、伏打光伏電池 這種光伏電池就是運用太陽(yáng)光照射在光伏打器上就會(huì )形成相應的光電子對，在N區和消耗區相互結合激發(fā)P區中的電子形成大量的光電子。 這時(shí)候就會(huì )形成相應的電場(chǎng)這是光電子在電場(chǎng)的作用下，光伏電池的邊界處移動(dòng)，到來(lái)消耗區的邊界，這時(shí)電子的濃度就會(huì )成為零電子（所謂的零電子就是本身不帶電的電子）。

這樣就完成了光電池在光的作用下進(jìn)行發(fā)電的原理了。

6.太陽(yáng)能光伏發(fā)電原理圖

第一章 太陽(yáng)電池的工作原理和基本特性1.1 半導體物理基礎1.1.1 半導體的性質(zhì) 世界上的物體如果以導電的性能來(lái)區分，有的容易導電，有的不容易導電。

容易導電 的稱(chēng)為導體，如金、銀、銅、鋁、鉛、錫等各種金屬；不容易導電的物體稱(chēng)為絕緣體，常見(jiàn) 的有玻璃、橡膠、塑料、石英等等；導電性能介于這兩者之間的物體稱(chēng)為半導體，主要有鍺、硅、砷化鎵、硫化鎘等等。眾所周知，原子是由原子核及其周?chē)碾娮訕嫵傻模恍╇娮用?離原子核的束縛，能夠自由運動(dòng)時(shí)，稱(chēng)為自由電子。

金屬之所以容易導電，是因為在金屬體 內有大量能夠自由運動(dòng)的電子，在電場(chǎng)的作用下，這些電子有規則地沿著(zhù)電場(chǎng)的相反方向流 動(dòng)，形成了電流。自由電子的數量越多，或者它們在電場(chǎng)的作用下有規則流動(dòng)的平均速度越 高，電流就越大。

電子流動(dòng)運載的是電量，我們把這種運載電量的粒子，稱(chēng)為載流子。在常 溫下，絕緣體內僅有極少量的自由電子，因此對外不呈現導電性。

半導體內有少量的自由電 子，在一些特定條件下才能導電。半導體可以是元素，如硅（Si）和鍺（Ge），也可以是化合物，如硫化鎘（OCLS）和 砷化鎵（GaAs），還可以是合金，如GaxAL1-xAs，其中x 為0-1 之間的任意數。

許多有機化合 物，如蒽也是半導體。半導體的電阻率較大（約10-5≤ρ≤107Ω?m），而金屬的電阻率則很小（約10-8～10-6Ω?m），絕緣體的電阻率則很大（約ρ≥108Ω?m）。

半導體的電阻率對溫度的反應靈敏，例如鍺的溫度 從200C 升高到300C，電阻率就要降低一半左右。金屬的電阻率隨溫度的變化則較小，例如 銅的溫度每升高1000C，ρ增加40%左右。

電阻率受雜質(zhì)的影響顯著(zhù)。金屬中含有少量雜質(zhì) 時(shí)，看不出電阻率有多大的變化，但在半導體里摻入微量的雜質(zhì)時(shí)，卻可以引起電阻率很大 的變化，例如在純硅中摻入百萬(wàn)分之一的硼，硅的電阻率就從2.14*103Ω?m 減小到0.004Ω?m 左右。

金屬的電阻率不受光照影響，但是半導體的電阻率在適當的光線(xiàn)照射下可以發(fā)生顯著(zhù) 的變化。1.1.2 半導體物理基礎1.1.2.1 能帶結構和導電性 半導體的許多電特性可以用一種簡(jiǎn)單的模型來(lái)解釋。

硅是四價(jià)元素，每個(gè)原子的最外 殼層上有4 個(gè)電子，在硅晶體中每個(gè)原子有4 個(gè)相鄰原子，并和每一個(gè)相鄰原子共有兩個(gè)價(jià) 電子，形成穩定的8 電子殼層。自由空間的電子所能得到的能量值基本上是連續的，但在晶體中的情況就可能截然不 同了，孤立原子中的電子占據非常固定的一組分立的能線(xiàn)，當孤立原子相互靠近，規則整齊 排列的晶體中，由于各原子的核外電子相互作用，本來(lái)在孤立原子狀態(tài)是分離的能級擴展，根據情況相互重疊，變成如圖2.1 所示的帶狀。

電子許可占據的能帶叫允許帶，允許帶與允 許帶間不許可電子存在的范圍叫禁帶。太陽(yáng)能電池培訓手冊 __________________________________________________________________ 2 圖2.1 原子間距和電子能級的關(guān)系 在低溫時(shí)，晶體內的電子占有最低的可能能態(tài)。

但是晶體的平衡狀態(tài)并不是電子全都 處在最低允許能級的一種狀態(tài)。基本物理定理——泡利（Pauli）不相容原理規定，每個(gè)允 許能級最多只能被兩個(gè)自旋方向相反的電子所占據。

這意味著(zhù)，在低溫下，晶體的某一能級 以下的所有可能能態(tài)都將被兩個(gè)電子占據，該能級稱(chēng)為費米能級（EF）。隨著(zhù)溫度的升高，一些電子得到超過(guò)費米能級的能量，考慮到泡利不相容原理的限制，任一給定能量E 的一個(gè) 所允許的電子能態(tài)的占有幾率可以根據統計規律計算，其結果是由下式給出的費米-狄拉克 分布函數f(E)，即（ ） （ ） KT E EF e f E ?+=11 現在就可用電子能帶結構來(lái)描述金屬、絕緣體和半導體之間的差別。

電導現象是隨電子填充允許帶的方式不同而不同。被電子完全占據的允許帶（稱(chēng)為滿(mǎn) 帶）上方，隔著(zhù)很寬的禁帶，存在完全空的允許帶（稱(chēng)為導帶），這時(shí)滿(mǎn)帶的電子即使加電 場(chǎng)也不能移動(dòng)，所以這種物質(zhì)便成為絕緣體。

允許帶不完全占滿(mǎn)的情況下，電子在很小的電 場(chǎng)作用下就能移動(dòng)到離允許帶少許上方的另一個(gè)能級，成為自由電子，而使電導率變得很大，這種物質(zhì)稱(chēng)為導體。所謂半導體，即是天然具有和絕緣體一樣的能帶結構，但禁帶寬度較小 的物質(zhì)。

在這種情況下，滿(mǎn)帶的電子獲得室溫的熱能，就有可能越過(guò)禁帶跳到導帶成為自由 電子，它們將有助于物質(zhì)的導電性。參與這種電導現象的滿(mǎn)帶能級在大多數情況下位于滿(mǎn)帶 的最高能級，因此可將能帶結構簡(jiǎn)化為圖2.2 。

另外，因為這個(gè)滿(mǎn)帶的電子處于各原子的 最外層，是參與原子間結合的價(jià)電子，所以又把這個(gè)滿(mǎn)帶稱(chēng)為價(jià)帶。圖中省略了導帶的上部 和價(jià)帶的下部。

半導體結晶在相鄰原子間存在著(zhù)共用價(jià)電子的共價(jià)鍵。如圖2.2 所示，一旦 從外部獲得能量，共價(jià)鍵被破壞后，電子將從價(jià)帶躍造到導帶，同時(shí)在價(jià)帶中留出電子的一 個(gè)空位。

這個(gè)空位可由價(jià)帶中鄰鍵上的電子來(lái)占據，而這個(gè)電子移動(dòng)所留下的新的空位又可 以由其它電子來(lái)填補。這樣，我們可以看成是空位在依次地移動(dòng)，等效于帶正電荷的粒子朝 著(zhù)與電子運動(dòng)方向相反的方向移動(dòng)，稱(chēng)它為空穴。

在半導體中，空穴和導帶中的自由電子一 樣成為導電的帶電粒子（即載流。